IBM meldet technologische Durchbrüche im Nanobereich an

Neuigkeiten hat IBM dieser Tage nicht nur vom Verkauf seines PC-Geschäfts zu vermelden, sondern auch in Sachen künftiger PC-Technik, genauer gesagt der Nanotechnologie. In der Industrie und den Medien liegt die Aufmerksamkeit bei der Nanotechnologie überwiegend auf ausgefallenen und ausgesprochen futuristischen Beispielen, doch IBM stellt nun praktische Anwendungen vor. In der kommenden Woche auf der IEDM (International Electron Devices Meeting) in San Francisco will IBM die weltweit kleinste SRAM-Speicherzelle präsentieren. Ihre Größe soll bis zu sieben Mal kleiner sein als bislang erhältliche Speicherzellen. Die neue SRAM-Zelle reduziert den Platz für den Speicher auf einem Chip, so dass mehr Speicherkapazität auf der Chip-Fläche zur Verfügung steht oder die Chip-Größe sich verringern lässt. Über 50.000 dieser Speicherzellen lassen sich auf der Fläche von der Größe eines menschlichen Haarendes unterbringen.

Außerdem will IBM eine Technik zeigen, die die Leistung von Transistoren in Halbleitern verdreifacht. Mit Hilfe eines Prozesses, der zur konventionellen CMOS-Technologie kompatibel ist, soll sich die Leistung von Chips und deren elektronischen Systemen deutlich steigern lassen. Die Technik nutzt eine zusätzliche Lage des Elements Germanium im kritischen Bereich des Transistors, in dem die elektrischen Ströme fliessen. Der Einsatz dieses "Strained Germaniums" könnte zukünftig helfen, die Leistung von Chips im 32 Nanometer-Bereich und kleiner zu verbessern.