Durchsichtige, dünne und billige Transistoren

Der IT-Nachrichtendienst Golem meldet einen bemerkenswerten Fortschritt bei der Entwicklung von Transistoren. Demnach soll es Forschern der Oregon State University und von Hewlett Packard gelungen sein, eine neue Art von Transistoren auf der Basis von Zinn-Zink-Oxid zu entwickeln. Der Clou der neuen Technologie sei, dass sie transparente Transistoren in dünnen Filmen zu extrem geringen Kosten ermögliche. Für siliziumbasierte Produkte sei dies keine Konkurrenz. Doch kohlenstoffbasierten und organischen Transistoren sollen die neuen Transistoren deutlich überlegen sein, da sie chemisch stabiler, physisch robuster und einfacher herzustellen seien. Besonders im letzten Punkt, der die Herstellung billiger macht, sehen die Wissenschaftler den Wettbewerbvorteil.

Info:
http://www.golem.de/0412/35403.html